EPROM — ( англ. erasable programmable read-only memory, перепрограммируемое/репрограммируемое ПЗУ (ПППЗУ/РПЗУ)). В EPROM перед записью необходимо произвести стирание (соответственно появилась возможность перезаписывать содержимое памяти). Стирание ячеек EPROM выполняется сразу для всей микросхемы посредством облучения чипа ультрафиолетовыми (UV-EPROM) или рентгеновскими лучами в течение нескольких минут.

Преимущества:

  1. Возможность перезаписывать содержимое микросхемы

Недостатки:

  1. Небольшое количество циклов перезаписи.
  2. Невозможность модификации части хранимых данных.

 

EEPROM — ( англ. electrically erasable programmable read-only memory, электрически стираемое перепрограммируемое ПЗУ). Главной отличительной особенностью EEPROM (в т.ч. Flash) от ранее рассмотренных нами типов энергонезависимой памяти является возможность перепрограммирования при подключении к стандартной системной шине микропроцессорного устройства. В EEPROM появилась возможность производить стирание отдельной ячейки при помощи электрического тока.

Преимущества: (по сравнению с EPROM)

  1. Увеличенный ресурс работы.
  2. Проще в обращении.

Недостатки:

  1. Высокая стоимость

Одной из разновидностей EEPROM является флеш-память ( англ. flash memory) — разновидность твердотельной полупроводниковой энергонезависимой перезаписываемой памяти.